规格书 |
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文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 11.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 10 mOhm @ 11.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 30nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1240pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16104?mpart=FDS6680AS&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
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